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MUN5111T1
0.009
MUN5111T1 数据手册 (12 页)
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MUN5111T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-323
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA

MUN5111T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape

MUN5111T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.13 MByte

MUN5111 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
ON Semiconductor(安森美)
双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Freescale(飞思卡尔)
Leshan Radio(乐山无线电)
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