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器件3D模型
¥ 0.009
MUN5111T1 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-323
描述:
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
MUN5111T1 数据手册 (12 页)
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MUN5111T1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-323
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
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MUN5111T1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
查看数据手册 >
MUN5111T1 符合标准
MUN5111T1 海关信息
MUN5111T1 数据手册
MUN5111T1
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.14 MByte
MUN5111T1
产品手册
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.13 MByte
MUN5111 数据手册
MUN5111
T1G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MUN5111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323
MUN5111
DW1T1G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor ### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
MUN5111
T1
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
MUN5111
DW1T1
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
MUN5111
T1
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Leshan Radio(乐山无线电)
MUN5111
T1
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Motorola(摩托罗拉)
MUN5111
DW1T1
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Motorola(摩托罗拉)
MUN5111
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Leshan Radio(乐山无线电)
MUN5111
DW1T1
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MUN5111
T1G
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