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MUN5213DW1T1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-363-6

描述:

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MUN5213DW1T1 数据手册 (8 页)

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MUN5213DW1T1 数据手册 (8 页)

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MUN5213DW1T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

50.0 V

额定电流

100 mA

封装

SOT-363-6

极性

NPN

功耗

187 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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MUN5213DW1T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape

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MUN5213DW1T1 符合标准

MUN5213DW1T1 海关信息

MUN5213DW1T1 概述

MUN5213DW1T1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.07 MByte

MUN5213DW1T1 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.1 MByte

MUN5213DW1T1 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.1 MByte

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