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MUN5213DW1T3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-363

描述:

双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K， R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MUN5213DW1T3G 数据手册 (8 页)

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MUN5213DW1T3G 数据手册 (8 页)

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MUN5213DW1T3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363

无卤素状态

Halogen Free

极性

NPN

功耗

187 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

100mA

最小电流放大倍数

80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数

140

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

385 mW

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MUN5213DW1T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.95 mm

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MUN5213DW1T3G 符合标准

MUN5213DW1T3G 海关信息

MUN5213DW1T3G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.07 MByte

MUN5213DW1T3G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.15 MByte

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双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K， R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K

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