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MUN5214T1
器件3D模型
0.04
MUN5214T1 数据手册 (16 页)
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MUN5214T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-3
极性
NPN
功耗
310 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
额定功率(Max)
202 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310 mW

MUN5214T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
高度
0.85 mm

MUN5214T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.08 MByte

MUN5214 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MUN5214DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SOT-363
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MUN5214T1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-70 新
ON Semiconductor(安森美)
MUN5214T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 47k 增益80-140 SOT-323/SC-70 marking/标记 8D
ON Semiconductor(安森美)
双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
MUN5214DWT1 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 140 310mW/0.31W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记7D 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Leshan Radio(乐山无线电)
Leshan Radio(乐山无线电)
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