MWI75-12E8

￥ 121.37

MWI75-12E8 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

E-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

MWI75-12E8 数据手册 (4 页)

或点击图片查看大图

MWI75-12E8 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

33 Pin

封装

E-3

功耗

500000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

5.7nF @25V

额定功率(Max)

500 W

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

500000 mW

MWI75-12E8 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Bulk

高度

17 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

MWI75-12E8 符合标准

MWI75-12E8 概述

MWI75-12E8 数据手册

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4 页 / 0.3 MByte

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