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NAND01GW3A2CN6E
116.151
NAND01GW3A2CN6E 数据手册 (56 页)
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NAND01GW3A2CN6E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
封装
SOP
位数
8 Bit
存取时间(Max)
12000 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

NAND01GW3A2CN6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tray

NAND01GW3A2CN6E 数据手册

Micron(镁光)
56 页 / 0.92 MByte

NAND01GW3A2CN6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
Micron(镁光)
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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