NAND01GW3B2CN6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TSOP-48

描述:

1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NAND01GW3B2CN6E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TSOP-48

类型

描述

产品生命周期

Unknown

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 1.3 MByte

Micron（镁光）

ST Microelectronics（意法半导体）

1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

Micron（镁光）

MICRON NAND01GW3B2CN6E 闪存, 1 Gbit, 128K x 8位, 并行, TSOP, 48 引脚

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