器件3D模型

￥ 0.975

NCV5104DR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

负载控制器

封装:

SOIC-8

描述:

半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NCV5104DR2G 数据手册 (15 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在14 页 15 页

典型应用电路图在1 页 2 页

原理图在2 页

NCV5104DR2G 数据手册 (15 页)

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NCV5104DR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

85ns, 35ns

输出接口数

1 Output

下降时间(Max)

75 ns

上升时间(Max)

160 ns

电源电压

10V ~ 20V

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NCV5104DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

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NCV5104DR2G 符合标准

NCV5104DR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

15 页 / 0.1 MByte

NCV5104DR2G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

17 页 / 0.23 MByte

NCV5104DR2 数据手册

NCV5104DR2G 数据手册

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半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA

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