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NDB6030PL
0.9
NDB6030PL 数据手册 (4 页)
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NDB6030PL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-30.0 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
0.037 Ω
极性
P-Channel
功耗
75 W
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
-30.0 A
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
1570pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
75 W
下降时间
52 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
75W (Tc)

NDB6030PL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
11.33 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

NDB6030PL 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte

NDB6030 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
National Semiconductor(美国国家半导体)
Freescale(飞思卡尔)
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