NDB6060

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NDB6060 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NDB6060 数据手册 (12 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页 10 页 11 页

NDB6060 数据手册 (12 页)

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NDB6060 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

48.0 A

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

100W (Tc)

输入电容

1.80 nF

栅电荷

70.0 nC

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

48.0 A

输入电容值(Ciss)

1800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

100W (Tc)

查看数据手册 >

NDB6060 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

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NDB6060 符合标准

NDB6060 数据手册

NDB6060 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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