￥ 1.472

NDB6060L 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

TO-263-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NDB6060L 数据手册 (12 页)

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NDB6060L 数据手册 (12 页)

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NDB6060L 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.02 Ω

功耗

100 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

320 ns

输入电容值(Ciss)

1630pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

下降时间

161 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

100000 mW

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NDB6060L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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NDB6060L 符合标准

NDB6060L 概述

NDB6060L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.35 MByte

NDB6060L 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 0.94 MByte

NDB6060L 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

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