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NDC651N_F095
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NDC651N_F095 数据手册 (7 页)
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NDC651N_F095 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SuperSOT
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
3.2A

NDC651N_F095 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

NDC651N_F095 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.06 MByte

NDC651 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
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