Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > NDC651N_Q Datasheet 文档
NDC651N_Q
0
NDC651N_Q 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NDC651N_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SSOT-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
90 mΩ
极性
N-CH
功耗
1.6 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
3.2A
上升时间
19 ns
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

NDC651N_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm

NDC651N_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.18 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.18 MByte

NDC651 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z