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NDC652P
20.255

NDC652P 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
290pF @15V(Vds)
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW

NDC652P 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.06 MByte

NDC652 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
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