￥ 0.179

NDD04N60ZT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NDD04N60ZT4G Power MOSFET, N Channel, 4.1 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.9 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NDD04N60ZT4G 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页 9 页

NDD04N60ZT4G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NDD04N60ZT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3.9 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

4.1A

上升时间

9 ns

正向电压(Max)

1.6 V

输入电容值(Ciss)

640pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

83 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

查看数据手册 >

NDD04N60ZT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

NDD04N60ZT4G 符合标准

NDD04N60ZT4G 概述