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NDF04N60Z
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NDF04N60Z 数据手册 (8 页)
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NDF04N60Z 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220
漏源极电阻
2 Ω
极性
N-CH
功耗
30 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
4.8A

NDF04N60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
50

NDF04N60Z 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.15 MByte

NDF04N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
单N沟道功率MOSFET,600V,4.8A,2.0Ω
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET 1.8 ? , 600伏 N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts
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