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NDP6030L 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NDP6030L 数据手册 (12 页)

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NDP6030L 数据手册 (12 页)

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NDP6030L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

漏源极电阻

37.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

75.0 W

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

52A

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NDP6030L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

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NDP6030L 符合标准

NDP6030L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

12 页 / 0.33 MByte

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