￥ 0.29

NDP603AL 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NDP603AL 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NDP603AL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

25.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

22 mΩ

极性

N-CH

功耗

50 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

25A

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

查看数据手册 >

NDP603AL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10.67 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.3 mm

工作温度

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

NDP603AL 符合标准

NDP603AL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.07 MByte

NDP603AL 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.06 MByte

NDP603AL 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.09 MByte

NDP603 数据手册

NDP603AL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDP6030PL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDP6030L 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDP6030PL 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

NDP6030 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDP603AL 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号