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器件3D模型
¥ 1.496
NDP6060 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.9 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
NDP6060 数据手册 (12 页)
封装尺寸
在
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8 页
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NDP6060 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.025 Ω
功耗
100 W
阈值电压
2.9 V
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
145 ns
输入电容值(Ciss)
1800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
100 W
下降时间
77 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
100000 mW
查看数据手册 >
NDP6060 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
查看数据手册 >
NDP6060 符合标准
NDP6060 概述
●
通孔 N 通道 48A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
查看数据手册 >
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NDP6060
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.35 MByte
NDP6060
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ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 1.07 MByte
NDP6060
产品设计图
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.09 MByte
NDP6060
产品修订记录
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.48 MByte
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