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NDP6060L
1.19
NDP6060L 数据手册 (12 页)
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NDP6060L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
48.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
100 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
25 mΩ
极性
N-Channel
功耗
100 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
48.0 A
上升时间
320 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
100 W
下降时间
161 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
100W (Tc)

NDP6060L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-65℃ ~ 175℃ (TJ)

NDP6060L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
12 页 / 0.35 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

NDP6060 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDP6060  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 25 mohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.9 V
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDP6060L  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 25 mohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
NDP6060L 管装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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