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NDS335N 数据手册 - National Semiconductor（美国国家半导体）

制造商:

National Semiconductor（美国国家半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDS335N 数据手册 (7 页)

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NDS335N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

1.70 A

封装

SOT-23

漏源极电阻

140 mΩ

极性

N-Channel

功耗

500 mW

漏源极电压(Vds)

20.0 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

8.00 V

连续漏极电流(Ids)

1.70 A

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NDS335N 符合标准

NDS335N 数据手册

National Semiconductor（美国国家半导体）

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