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NDS335N_Q
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NDS335N_Q 数据手册 (11 页)
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NDS335N_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23-3
极性
N-CH
功耗
500 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
1.7A
上升时间
29 ns
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

NDS335N_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.2 mm

NDS335N_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.18 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.18 MByte

NDS335 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
National Semiconductor(美国国家半导体)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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