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NDS351N
0.105
NDS351N 数据手册 (2 页)
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NDS351N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.135 Ω
功耗
500 mW
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
140pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
460 mW
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

NDS351N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDS351N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.04 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.6 MByte

NDS351 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS351AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 250 mohm, 10 V, 2.1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS351AN, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.1 A, 30 V, 0.135 ohm, 10 V, 1.6 V
Fairchild(飞兆/仙童)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
Freescale(飞思卡尔)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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