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NE3210S01
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NE3210S01 数据手册 (15 页)
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NE3210S01 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SO-1
功耗
165 mW
漏源击穿电压
4.00 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 mA
增益
13.5 dB

NE3210S01 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

NE3210S01 数据手册

NEC(日本电气)
15 页 / 0.36 MByte

NE3210 数据手册

California Eastern Laboratories
NE3210S01 N 沟道 12 Ghz 13.5 dB 165 mW 低噪声 HJ FET - SO-1
NEC(日本电气)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
California Eastern Laboratories
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Super Lo Noise HJFET
NEC(日本电气)
California Eastern Laboratories
NEC(日本电气)
California Eastern Laboratories
NEC(日本电气)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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