器件3D模型

￥ 0.75

NE5230DR2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

运算放大器

封装:

SOIC-8

描述:

NE5230，SE5230，SA5230，NCV5230，低电压运算放大器，ON Semiconductor电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流低噪声 SA 等级：-40°C 至 +85°C SE 等级：-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用；符合 AEC-Q100 ### 运算放大器，ON Semiconductor

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3D模型

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焊盘图

引脚图

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NE5230DR2G 数据手册 (18 页)

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NE5230DR2G 数据手册 (18 页)

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NE5230DR2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

无卤素状态

Halogen Free

供电电流

1.1 mA

电路数

1 Circuit

通道数

1 Channel

功耗

500 mW

共模抑制比

85 dB

增益频宽积

600 kHz

输入补偿电压

400 µV

输入偏置电流

40 nA

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

0 ℃

增益带宽

600 kHz

耗散功率(Max)

500 mW

共模抑制比(Min)

85 dB

电源电压(Max)

15 V

电源电压(Min)

1.8 V

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NE5230DR2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

0℃ ~ 70℃

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NE5230DR2G 符合标准

NE5230DR2G 海关信息

NE5230DR2G 概述