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NE6500379A
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NE6500379A 数据手册 (7 页)
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NE6500379A 技术参数、封装参数

类型
描述
功耗
21.0 W
漏源击穿电压
15.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.60 A

NE6500379A 数据手册

NEC(日本电气)
7 页 / 0.15 MByte

NE6500379 数据手册

NEC(日本电气)
NEC(日本电气)
California Eastern Laboratories
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S; Band GaAs MESFET
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