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NGTB15N60S1EG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60S1EG 单晶体管, IGBT, 30 A, 1.5 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NGTB15N60S1EG 数据手册 (10 页)

封装尺寸在10 页

典型应用电路图在1 页

NGTB15N60S1EG 数据手册 (10 页)

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NGTB15N60S1EG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

功耗

117 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

270 ns

额定功率(Max)

117 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

117 W

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NGTB15N60S1EG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.28 mm

宽度

4.82 mm

高度

15.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NGTB15N60S1EG 符合标准

NGTB15N60S1EG 海关信息

NGTB15N60S1EG 概述

NGTB15N60S1EG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.13 MByte

NGTB15N60S1EG 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.16 MByte

NGTB15N60S1EG 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.7 MByte

NGTB15N60S1 数据手册

NGTB15N60S1EG 数据手册

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ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60S1EG 单晶体管, IGBT, 30 A, 1.5 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

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