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NGTB40N120FL2WAG
2.579
NGTB40N120FL2WAG 数据手册 (12 页)
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NGTB40N120FL2WAG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-4
功耗
268 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
240 ns
额定功率(Max)
536 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
536000 mW

NGTB40N120FL2WAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21 mm
工作温度
55℃ ~ 175℃

NGTB40N120FL2WAG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.53 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.14 MByte

NGTB40N120FL2 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NGTB40N120FL2WG  单晶体管, IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
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