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NIF9N05CLT1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

保护功率MOSFET 2.6A,52V N沟道逻辑电平

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NIF9N05CLT1 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

NIF9N05CLT1 数据手册 (6 页)

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NIF9N05CLT1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

52.0 V

额定电流

2.60 A

封装

TO-261-4

漏源极电阻

107 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.69W (Ta)

漏源极电压(Vds)

52 V

漏源击穿电压

52.0 V

栅源击穿电压

±15.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.60 A

输入电容值(Ciss)

250pF @35V(Vds)

耗散功率(Max)

1.69W (Ta)

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NIF9N05CLT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NIF9N05CLT1 符合标准

NIF9N05CLT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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