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NSB1706DMW5
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NSB1706DMW5 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-323-5
极性
Dual NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
80

NSB1706DMW5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

NSB1706DMW5 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.04 MByte

NSB1706 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NSB 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN 双 偏置电阻晶体管 - SC-88A
ON Semiconductor(安森美)
双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistor
ON Semiconductor(安森美)
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