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NTB30N20G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

功率MOSFET 30安培， 200伏 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTB30N20G 数据手册 (4 页)

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NTB30N20G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

68.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2W (Ta), 214W (Tc)

输入电容

1.20 nF

栅电荷

46.0 nC

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

27.0 A

输入电容值(Ciss)

2335pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta), 214W (Tc)

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NTB30N20G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTB30N20G 符合标准

NTB30N20G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.05 MByte

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