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NTB30N20T4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

418B-04

描述:

功率MOSFET 30安培， 200伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N−Channel Enhancement−Mode D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTB30N20T4 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

NTB30N20T4 数据手册 (8 页)

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NTB30N20T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

30.0 A

封装

418B-04

漏源极电阻

68.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

214 W

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

20.0 ns

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NTB30N20T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

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NTB30N20T4 符合标准

NTB30N20T4 海关信息

NTB30N20T4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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