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NTB30N20T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

30A,200V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTB30N20T4G 数据手册 (9 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页

典型应用电路图在1 页

NTB30N20T4G 数据手册 (9 页)

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NTB30N20T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

30.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

68 mΩ

极性

N-Channel

功耗

214 W

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

30.0 A

上升时间

20.0 ns

输入电容值(Ciss)

2335pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta), 214W (Tc)

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NTB30N20T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTB30N20T4G 符合标准

NTB30N20T4G 海关信息

NTB30N20T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.07 MByte

NTB30N20T4G 其他数据使用手册

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12 页 / 0.23 MByte

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功率MOSFET 30安培， 200伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N−Channel Enhancement−Mode D2PAK

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30A,200V功率MOSFET

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