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NTB35N15T4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTB35N15T4 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页

典型应用电路图在1 页

NTB35N15T4 数据手册 (8 页)

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NTB35N15T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

150 V

额定电流

37.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

50.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

150 V

漏源击穿电压

150 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

37.0 A

上升时间

125 ns

输入电容值(Ciss)

3200pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

2 W

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NTB35N15T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTB35N15T4 符合标准

NTB35N15T4 海关信息

NTB35N15T4 概述

NTB35N15T4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.07 MByte

NTB35N15T4 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

24 页 / 0.56 MByte

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