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NTB5605T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTB5605T4G 数据手册 (7 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在6 页

NTB5605T4G 数据手册 (7 页)

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NTB5605T4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

P-Channel

功耗

88W (Tc)

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

-18.5 A, 18.5 A

上升时间

122 ns

输入电容值(Ciss)

1190pF @25V(Vds)

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

88W (Tc)

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NTB5605T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTB5605T4G 符合标准

NTB5605T4G 海关信息

NTB5605T4G 概述

NTB5605T4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.13 MByte

NTB5605T4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.21 MByte

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