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NTB6410ANG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTB6410ANG 数据手册 (7 页)

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NTB6410ANG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

11 mΩ

极性

N-Channel

功耗

188 W

阈值电压

2V ~ 4V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

76.0 A

上升时间

170 ns

输入电容值(Ciss)

4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

188 W

下降时间

190 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

188W (Tc)

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NTB6410ANG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

10.29 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTB6410ANG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.07 MByte

NTB6410ANG 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.31 MByte

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ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET,100V,76A,13mΩ,单N沟道

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