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NTB6412AN
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NTB6412AN 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
58A

NTB6412AN 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.16 MByte

NTB6412 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET的100 V, 58 A, 18.2毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
ON Semiconductor(安森美)
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