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NTB6412ANG
1.36
NTB6412ANG 数据手册 (7 页)
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NTB6412ANG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-Channel
功耗
167 W
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
58.0 A
上升时间
140 ns
输入电容值(Ciss)
3500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
167 W
下降时间
126 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
167W (Tc)

NTB6412ANG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.29 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTB6412ANG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte

NTB6412 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET的100 V, 58 A, 18.2毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
ON Semiconductor(安森美)
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