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NTB6413AN 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

D2PAK-3

描述:

N沟道功率MOSFET的100 V， 42 A， 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTB6413AN 数据手册 (7 页)

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NTB6413AN 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

D2PAK-3

漏源极电阻

28 mΩ

极性

N-CH

功耗

136 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

42A

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NTB6413AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

最小包装数量

800

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ON Semiconductor（安森美）

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