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NTD12N10-001 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTD12N10-001 数据手册 (8 页)

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NTD12N10-001 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

100 V

额定电流

12.0 A

漏源极电阻

165 mΩ

极性

N-Channel

功耗

56.6 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

30.0 ns

NTD12N10-001 符合标准

NTD12N10-001 数据手册

NTD12N10-001 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.07 MByte

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