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NTD20N03L27-001
0.18
NTD20N03L27-001 数据手册 (6 页)
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NTD20N03L27-001 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-251-3
漏源极电阻
27.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
74 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
137 ns
输入电容值(Ciss)
1260pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.75 W
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.75W (Ta), 74W (Tc)

NTD20N03L27-001 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
6.73 mm
宽度
2.38 mm
高度
6.35 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NTD20N03L27-001 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte

NTD20N03 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20N03L27T4G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V V(BR)DSS
ON Semiconductor(安森美)
20A,30V,N沟道MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
20A,30V逻辑电平的功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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