￥ 0.275

NTD20P06LT4 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

功率MOSFET -60 V， -15.5 A单P沟道， DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTD20P06LT4 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

NTD20P06LT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-15.0 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

130 mΩ

极性

P-Channel

功耗

65 W

漏源极电压(Vds)

60.0 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

15.0 A

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

740pF @25V(Vds)

下降时间

70 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

65000 mW

查看数据手册 >

NTD20P06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

查看数据手册 >

NTD20P06LT4 符合标准

NTD20P06LT4 海关信息

NTD20P06LT4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.14 MByte

NTD20P06LT4 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.22 MByte

NTD20P06 数据手册

NTD20P06LT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK

NTD20P06L-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

-60V,-15.5A功率MOSFET

NTD20P06LT4 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET -60 V， -15.5 A单P沟道， DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK

NTD20P06LG 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

NTD20P06L 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET -60 V， -15.5 A单P沟道， DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK

NTD20P06L-1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET -60 V， -15.5 A单P沟道， DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK

NTD20P06L-001 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号