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NTD3808N-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

功率MOSFET的16 V ， 76 A单N沟道， DPAK / IPAK Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD3808N-1G 数据手册 (7 页)

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NTD3808N-1G 数据手册 (7 页)

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NTD3808N-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-251-3

极性

N-CH

功耗

1.3W (Ta), 52W (Tc)

漏源极电压(Vds)

16 V

连续漏极电流(Ids)

17A

输入电容值(Ciss)

1660pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

1.3 W

耗散功率(Max)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

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NTD3808N-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD3808N-1G 符合标准

NTD3808N-1G 海关信息

NTD3808N-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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NTD3808N-1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.08 MByte

NTD3808N1 数据手册

NTD3808N-1G 数据手册

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功率MOSFET的16 V ， 76 A单N沟道， DPAK / IPAK Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

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