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NTD40N03R-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTD40N03R-1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 45A, D-PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD40N03R-1G 数据手册 (7 页)

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NTD40N03R-1G 数据手册 (7 页)

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NTD40N03R-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

25.0 V

额定电流

40.0 A

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

12.6 mΩ

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

25.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

45.0 A

上升时间

19.5 ns

输入电容值(Ciss)

584pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

3.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5W (Ta), 50W (Tc)

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NTD40N03R-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD40N03R-1G 符合标准

NTD40N03R-1G 海关信息

NTD40N03R-1G 概述

NTD40N03R-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.11 MByte

NTD40N03R-1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.21 MByte

NTD40N03R-1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.06 MByte

NTD40N03R-1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

56 页 / 0.1 MByte

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