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NTD4302-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

功率MOSFET 68 A， 30 V ，NA ????频道DPAK Power MOSFET 68 A, 30 V, NâChannel DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD4302-1G 数据手册 (7 页)

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NTD4302-1G 数据手册 (7 页)

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NTD4302-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

68.0 A

封装

TO-251-3

漏源极电阻

7.80 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.04W (Ta), 75W (Tc)

输入电容

2.40 nF

栅电荷

80.0 nC

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.3 A

输入电容值(Ciss)

2400pF @24V(Vds)

额定功率(Max)

1.04 W

耗散功率(Max)

1.04W (Ta), 75W (Tc)

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NTD4302-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTD4302-1G 符合标准

NTD4302-1G 海关信息

NTD4302-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.11 MByte

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7 页 / 0.1 MByte

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