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NTD4806N-35G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

30V,76A,功率双MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD4806N-35G 数据手册 (8 页)

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NTD4806N-35G 数据手册 (8 页)

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NTD4806N-35G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

6 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.14 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

76.0 A

输入电容值(Ciss)

2142pF @12V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1.4W (Ta), 68W (Tc)

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NTD4806N-35G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

2.38 mm

高度

6.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NTD4806N-35G 符合标准

NTD4806N-35G 海关信息

NTD4806N-35G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.11 MByte

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9 页 / 0.22 MByte

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