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NTD4806NA-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

76A,30V,N沟道MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD4806NA-1G 数据手册 (8 页)

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NTD4806NA-1G 数据手册 (8 页)

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NTD4806NA-1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

漏源极电阻

6.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

76.0 A

输入电容值(Ciss)

2142pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

2.14 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2140 mW

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NTD4806NA-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Rail

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NTD4806NA-1G 符合标准

NTD4806NA-1G 海关信息

NTD4806NA-1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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