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NTD4806NA-35G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

76A,30V功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD4806NA-35G 数据手册 (7 页)

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NTD4806NA-35G 数据手册 (7 页)

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NTD4806NA-35G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

6 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.14 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

76.0 A

输入电容值(Ciss)

2142pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

2.14 W

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NTD4806NA-35G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

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NTD4806NA-35G 海关信息

NTD4806NA-35G 数据手册

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