NTD4806NA35G

￥ 0

NTD4806NA35G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

NTD4806NA35G 数据手册 (8 页)

或点击图片查看大图

NTD4806NA35G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

漏源极电阻

6.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.14 W

漏源极电压(Vds)

30.0 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

76.0 A

NTD4806NA35G 符合标准

NTD4806NA35G 数据手册

NTD4806NA35G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.09 MByte

NTD4806NA35 数据手册

NTD4806NA-35G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

76A,30V功率MOSFET

NTD4806NA35G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

SN74LVC1G07DBVR P6KE180A ADM3485EARZ EPM1270T144C5N LM2903M NUC029LAN EEEFK1V101P STM32F446RCT6 CRCW04024K70FKED

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z