Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor(安森美) > NTD4905N-1G Datasheet 文档
NTD4905N-1G
0
NTD4905N-1G 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

NTD4905N-1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
4.5 mΩ
极性
N-CH
功耗
1.4W (Ta), 44W (Tc)
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
16.3A
输入电容值(Ciss)
2340pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
1.4W (Ta), 44W (Tc)

NTD4905N-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

NTD4905N-1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.06 MByte

NTD4905N1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET的30 V , 67 A单N沟道, DPAK / IPAK Power MOSFET 30 V, 67 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
ON Semiconductor(安森美)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z